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タイトル: 電磁場照射による半導体コロイドのパターニング
その他のタイトル: Electromagnetic patterning of semiconductor colloids
著者: 新妻, 潤一
著者(別表記): Niitsuma, Jun-ichi
キーワード: プラズモン
溶液プロセス
ナノギャップ電極
発行日: 3-Jun-2013
抄録: 金コロイドインクとインクジェット法をもちい,インクの流動性と濡れ性を制御することで,ナノギャップ電極構造を作製する方法を開発し,百ナノメートルオーダーのギャップ電極の作製に成功した。これをもちいて高分子半導体トランジスタを作製し,それが動作することを確認した。光照射によりギャップ部分のみに有機半導体を析出させることを試みたが,ギャップ以外でも結晶が析出し,パターンを得ることはできなかった。 : I developed a method for creating nanogap electrodes from ink-jetted gold colloid ink by controlling fluidity and wettability of the ink, and succeeded in making the electrodes with the gap of the order of 100nm. Polymer semiconductor transistors were fabricated on the electrodes and the transistor properties were confirmed. Light irradiation was carried out to pattern organic semiconductor in the gap area. However, we found no patterns that are expected for irradiated semiconductor precursors mixed with photoactive additives.
記述: 研究種目:若手研究(B)
研究期間:2011~2012
課題番号:23710125
研究者番号:20565890
研究分野:有機材料,光配向,近接場光学
科研費の分科・細目:ナノ・マイクロ科学、ナノ材料・ナノバイオサイエンス
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/11385
出現コレクション:2012年度 (FY 2012)

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