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タイトル: Effect of Annealing and Hydrogen Radical Treatment on the Structure of Solution-Processed Hydrogenated Amorphous Silicon Films
著者: Sakuma, Yoo
Ohdaira, Keisuke
Masuda, Takashi
Takagishi, Hideyuki
Shen, Zhongrong
Shimoda, Tatsuya
キーワード: amorphous silicon
Solution process
Stress
Raman
発行日: 2014-02-14
出版者: IOP Publishing
誌名: Japanese Journal of Applied Physics
巻: 53
号: 4S
開始ページ: 04ER07-1
終了ページ: 04ER07-5
DOI: 10.7567/JJAP.53.04ER07
抄録: We investigate the structure distribution of solution-processed (Sol. P) hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films along a thickness direction and the effect of hydrogen-radical treatment (H-treatment) by Raman spectroscopy. Sol. P a-Si:H films have a stress distribution along the thickness direction, and the degree of the distribution depends on annealing temperature and duration. H-treatment affects stress and short-range order (SRO) of a-Si:H films. These results give us a suggestion about the formation mechanism of Sol. P a-Si:H films through network reconstruction and H-treatment.
Rights: This is the author's version of the work. It is posted here by permission of The Japan Society of Applied Physics. Copyright (C) 2014 The Japan Society of Applied Physics. Yoo Sakuma, Keisuke Ohdaira, Takashi Masuda, Hideyuki Takagishi, Zhongrong Shen and Tatsuya Shimoda, Japanese Journal of Applied Physics, 53(4S), 2014, 04ER07-1-04ER07-5. http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.53.04ER07
URI: http://hdl.handle.net/10119/12137
資料タイプ: author
出現コレクション:z8-10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)

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