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http://hdl.handle.net/10119/12193
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| Title: | エピタキシャルシリセンの結晶・電子構造エンジニアリング |
| Other Titles: | Crystal and electronic structure engineering of epitaxial silicene |
| Authors: | フロランス, アントワーヌ |
| Authors(alternative): | Fleurence, Antoine |
| Keywords: | シリセン
二次元物質
走査トンネル顕微鏡
局所状態密度
バンドエンジニアリング
表面・界面物性
電子・電気材料
ナノ材料 |
| Issue Date: | 2-Jun-2014 |
| Abstract: | 本研究では、ケイ素版グラフェンといえる新しい二次元材料「シリセン」の結晶・電子構造を原子や分子の吸着・反応により制御するための指導原理を実験的に得ることを目的とした。二ホウ化ジルコニウム薄膜上に形成されたエピタキシャルシリセンにカリウムを蒸着したところ、構造の変化は認められなかったが、カリウム原子からシリセンへと電子が供与され、基板である二ホウ化物の表面電子状態とシリセンのパイ電子状態との間の混成が強まるのが観測された。また、水素化を試みたところ、シリセンの内部構造を大きく変えることなくキャッピング層が形成されることが示唆された。 : Silicene on ZrB2(0001) thin films grown on Si(111) is a perfect test bench for the study of this two-dimensional material, which only exists in epitaxial forms. We particularly investigated (i) the local origin of the electronic states of silicene and (ii) how the properties of silicene can be tuned upon adsorption of foreign atoms. Our study revealed the microscopic origin of the previously resolved pi states and pointed out a clear correlation between the local conformation of the Si atoms and the contribution of their pz orbital to those states. Upon adsorption of potassium atoms, we found out that there is no change in the silicene structure and that an electron donation to silicene occurs. It also causes the hybridization between ZrB2(0001) surface state and silicene pi states, which are decoupled in the pristine case. The investigation of the hydrogenation of silicene suggests that a capping layer forms without affecting significantly the internal structure of silicene. |
| Description: | 研究種目：研究活動スタート支援
研究期間：2012～2013
課題番号：24810011
研究者番号：30628821
研究分野：ナノマテリアル
科研費の分科・細目：ナノ・マイクロ科学、ナノ構造科学 |
| Language: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/12193 |
| Appears in Collections: | 2013年度 (FY 2013)
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