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D-MS. 博士（マテリアルサイエンス）・博士（材料科学） >
D-MS. 2014年度(H26) >
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http://hdl.handle.net/10119/12304
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| タイトル: | ナローギャップ・ワイドギャップⅢ-Ⅴ族化合物半導体デバイスにおける低周波雑音 |
| 著者: | Le, Phuong Son |
| 著者（別表記）: | れ, ふん すん |
| キーワード: | III-V compound semiconductors
InAs
AlGaN/GaN
low-frequency noise
Hooge parameter |
| 発行日: | Sep-2014 |
| 記述: | Supervisor:鈴木 寿一
マテリアルサイエンス研究科
博士 |
| タイトル（英語）: | Low-frequency noise of narrow-and wide-gap Ⅲ-Ⅴcompound semiconductor devices |
| 著者（英語）: | Le, Phuong Son |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/12304 |
| 学位授与番号: | 甲第825号 |
| 学位授与年月日: | 2014-09-24 |
| 学位名: | 博士（マテリアルサイエンス） |
| 学位授与機関: | 北陸先端科学技術大学院大学 |
| 出現コレクション: | D-MS. 2014年度(H26) (Jun.2014 - Mar.2015)
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このアイテムのファイル:
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記述 |
サイズ | 形式 |
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| abstract.pdf | 英文要旨 | 689Kb | Adobe PDF | 見る/開く | | paper.pdf | 本文 | 10737Kb | Adobe PDF | 見る/開く | | summary.pdf | 内容の要旨及び論文審査の結果の要旨 | 781Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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