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http://hdl.handle.net/10119/12331
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| タイトル: | A Method to Evaluate Explosive Crystallization Velocity of Amorphous Silicon Films during Flash Lamp Annealing |
| 著者: | Ohdaira, Keisuke |
| キーワード: | Flash lamp annealing
Polycrystalline silicon
Amorphous silicon
Crystallization velocity
Explosive crystallization |
| 発行日: | 2014-02-25 |
| 出版者: | NRC Research Press |
| 誌名: | Canadian Journal of Physics |
| 巻: | 92 |
| 号: | 7/8 |
| 開始ページ: | 718 |
| 終了ページ: | 722 |
| DOI: | 10.1139/cjp-2013-0574 |
| 抄録: | Flash lamp annealing (FLA) of micrometer-order-thick amorphous silicon (a-Si) films can induce explosive crystallization (EC), high-speed lateral crystallization driven by the release of latent heat. We develop multi-pulse flash lamp annealing (FLA) system, which emits a quasi-millisecond pulse consisting of a number of sub-pulses. The emission frequency of the sub-pulses can be systematically controlled, and the emission of sub-pulses leads to the periodic modulation of the temperature of a Si film and the resulting formation of macroscopic stripe patterns. The relationship between a sub-pulse emission frequency and the width of the macroscopic stripe patterns yields EC velocity. Two kinds of EC modes can be observed, depending on the methods of precursor a-Si deposition and/or a-Si film thickness. |
| Rights: | This is the author's version of a work accepted for publication by NRC Research Press. Keisuke Ohdaira, Canadian Journal of Physics, 92(7/8), 2014, 718-722. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2013-0574 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/12331 |
| 資料タイプ: | author |
| 出現コレクション: | z8-10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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