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M-MS. 2015年度(H27) >
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http://hdl.handle.net/10119/13566
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| タイトル: | GaN系金属/絶縁体/半導体構造における 絶縁体/半導体界面固定電荷の評価 |
| 著者: | Yamaguchi, Shinya |
| キーワード: | 界面固定電荷
InAlN-GaN |
| 発行日: | Mar-2016 |
| 記述: | Supervisor:鈴木 寿一
マテリアルサイエンス研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Characterization of insulator/semiconductor interface xed charge in GaN-based metal/insulator/semiconductor structure |
| 著者（英語）: | Yamaguchi, Shinya |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/13566 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2015年度(H27) (Jun.2015 - Mar.2016)
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