|
JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2017年度(H29) >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/15230
|
| タイトル: | Molecular Beam Epitaxy Growth of GaAs/InAs Core/Shell Nanowires and Electrical Characterization |
| 著者: | Tran, Quoc Dat |
| 著者（別表記）: | ちゃん, くぉっく だっと |
| キーワード: | Molecular beam epitaxy
III-V semiconductors
vapor liquid solid
FET |
| 発行日: | Mar-2018 |
| 記述: | Supervisor: 赤堀 誠志
先端科学技術研究科
修士(マテリアルサイエンス) |
| タイトル（英語）: | Molecular Beam Epitaxy Growth of GaAs/InAs Core/Shell Nanowires and Electrical Characterization |
| 著者（英語）: | Tran, Quoc Dat |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/15230 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2017年度(H29) (Jun.2017 - Mar.2018)
|
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
