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http://hdl.handle.net/10119/15401
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| タイトル: | エピタキシャルシリセンの界面制御 |
| その他のタイトル: | Interface control of epitaxial silicene |
| 著者: | 高村, 由起子 |
| 著者（別表記）: | Takamura, Yukiko |
| キーワード: | ナノ材料
二次元材料
シリセン
薄膜
走査プローブ顕微鏡
放射光実験
角度分解光電子分光 |
| 発行日: | 19-Jun-2018 |
| 抄録: | 基板との相互作用の小さいシリセンを形成すること，また，シリセンの性質を保持した上でその酸化を防止する保護膜を形成することを目的として，二ホウ化ジルコニウム薄膜上シリセンにケイ素，ゲルマニウム，酸化物，窒化物などを蒸着し，シリセンと基板の間の相互作用，シリセンと蒸着物の間の相互作用の性質を明らかにするために，放射光施設における光電子分光を行い，多くの知見を得た．二ホウ化ジルコニウム薄膜上単原子層六方晶窒化ホウ素にケイ素を蒸着し，シリセンの形成を試みた結果，シリセンが窒化ホウ素の下に形成され，窒化ホウ素がシリセンの性質を変えずに酸化防止膜として機能することが実験的に明らかとなった．：In order to form a free-standing-like epitaxial silicene, and to form a capping layer which keeps the properties of silicene but prevents oxidation of silicene, the interfaces formed between silicene and substrates, silicene and capping layers were studied using high-resolution photoelectron spectroscopy at synchrotron radiation facility. By depositing silicon on zirconium diboride thin film terminated by monolayer hexagonal boron nitride (h-BN), silicene was formed in between h-BN and diboride. Photoelectron spectroscopy revealed that this silicene sheet formed through intercalation has similar electronic properties to the spontaneously formed ones, and monolayer h-BN successfully prevents oxidation of silicene for at least an hour in air. |
| 記述: | 基盤研究(A)（一般）
研究期間：2014～2017
課題番号：26246002
研究者番号：90344720
研究分野：材料科学 |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/15401 |
| 出現コレクション: | 2017年度 (FY 2017)
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記述 |
サイズ | 形式 |
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| 26246002seika.pdf | | 181Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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