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タイトル: Effect of antireflection coating on the crystallization of amorphous silicon films by flash lamp annealing
著者: Sonoda, Yuki
Ohdaira, Keisuke
発行日: 2017-03-17
出版者: IOP Publishing
誌名: Japanese Journal of Applied Physics
巻: 56
号: 4S
開始ページ: 04CS10-1
終了ページ: 04CS10-4
DOI: 10.7567/JJAP.56.04CS10
抄録: We succeed in decreasing the fluence of a flash lamp pulse required for the crystallization of electron-beam (EB)-evaporated amorphous silicon (a-Si) films using silicon nitride (SiN_x) antireflection films. The antireflection effect of SiN_x is confirmed not only when SiN_x is placed on the surface of a-Si or flash lamp annealing (FLA) is performed from the film side, but also when SiN_x is inserted between glass and a-Si and a flash pulse is supplied from the glass side. We also quantitatively confirm, by calculating flash lamp pulse energies actually reaching a-Si films using reflectance spectra, that the reduction in the fluence of a flash lamp pulse for the crystallization of a-Si films is due to the antireflection effect of SiN_x.
Rights: This is the author's version of the work. It is posted here by permission of The Japan Society of Applied Physics. Copyright (C) 2017 The Japan Society of Applied Physics. Yuki Sonoda and Keisuke Ohdaira, Japanese Journal of Applied Physics, 56(4S), 2017, 04CS10. http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.56.04CS10
URI: http://hdl.handle.net/10119/16133
資料タイプ: author
出現コレクション:c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)

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