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タイトル: Catalytic phosphorus and boron doping of amorphous silicon films for application to silicon heterojunction solar cells
著者: Ohdaira, Keisuke
Seto, Junichi
Matsumura, Hideki
発行日: 2017-07-04
出版者: IOP Publishing
誌名: Japanese Journal of Applied Physics
巻: 56
号: 8S2
開始ページ: 08MB06-1
終了ページ: 08MB06-5
DOI: 10.7567/JJAP.56.08MB06
抄録: We investigate a novel doping method, catalytic impurity doping (Cat-doping), for application to the fabrication of silicon heterojunction (SHJ) solar cells. Thin p-type or n-type doped layers can be formed on intrinsic amorphous Si (a-Si) films by exposing P- or B-related radicals generated by the catalytic cracking of phosphine (PH_3) or diborane (B_2H_6) gas molecules. The passivation quality of underlying a-Si films can be maintained both for phosphorus (P) and boron (B) Cat-doping if we carefully choose the appropriate substrate temperature during Cat-doping. We confirm the rectifying and photovoltaic properties of an SHJ solar cell containing a B Cat-doped layer as a p-type a-Si emitter. These findings suggest the applicability of Cat-doping to SHJ solar cells.
Rights: This is the author's version of the work. It is posted here by permission of The Japan Society of Applied Physics. Copyright (C) 2017 The Japan Society of Applied Physics. Keisuke Ohdaira, Junichi Seto and Hideki Matsumura, Japanese Journal of Applied Physics, 56(8S2), 2017, 08MB06. http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.56.08MB06
URI: http://hdl.handle.net/10119/16138
資料タイプ: author
出現コレクション:c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)

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