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タイトル: The formation of poly-Si films on flat glass substrates by flash lamp annealing
著者: Watanabe, Taiki
Ohdaira, Keisuke
キーワード: Flash lamp annealing
Amorphous silicon
Polycrystalline silicon
Crystallization
Film stress
発行日: 2015-08-06
出版者: Elsevier
誌名: Thin Solid Films
巻: 595
号: Part B
開始ページ: 235
終了ページ: 238
DOI: 10.1016/j.tsf.2015.08.003
抄録: We have succeeded the formation of polycrystalline silicon (poly-Si) films by flash lamp annealing (FLA) of 4-μm-thick intrinsic amorphous silicon (a-Si(i)) films deposited directly on flat glass substrates by tuning catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) conditions. The use of a-Si(i) films deposited without intentional substrate heating leads to the suppression of Si film peeling during FLA. The a-Si(i) films deposited at room temperature have low film density, low film stress, and high defect density, compared to a-Si(i) films deposited at higher temperatures. The prevention of Si film peeling may be due to the low film stress and/or the suppression of the emergence of lateral explosive crystallization (EC) by using a-Si(i) films with low film density.
Rights: Copyright (C)2015, Elsevier. Licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International license (CC BY-NC-ND 4.0). [http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/] NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Taiki Watanabe and Keisuke Ohdaira, Thin Solid Films, 595(Part B), 2015, 235-238, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2015.08.003
URI: http://hdl.handle.net/10119/16139
資料タイプ: author
出現コレクション:c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)

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