|
JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2020年度(R02) >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/17223
|
| タイトル: | AlNゲート絶縁膜とゲートリセスを用いたAlN/AlGaN/GaN MISデバイスの閾値電圧制御 |
| 著者: | 新村, 純平 |
| 著者（別表記）: | しむら, じゅんぺい |
| キーワード: | 閾値電圧
ゲートリセス
界面固定電荷
Threshold voltage
Gate recess
Interface fixed charge |
| 発行日: | Mar-2021 |
| 記述: | Supervisor: 鈴木 寿一
先端科学技術研究科
修士(マテリアルサイエンス) |
| タイトル（英語）: | Threshold-voltage control of AlN/AlGaN/GaN MIS devices by using AlN gate insulators and gate recess |
| 著者（英語）: | Shimura, Jumpei |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/17223 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2020年度(R02) (Jun.2020 - Mar.2021)
|
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
