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R02) (Jun.2020 - Mar.2021 >
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http://hdl.handle.net/10119/17488
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| Title: | 溶液プロセスにより形成したイットリウムドープ酸化フニウム-ジルコニウムを用いた酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタの研究 |
| Authors: | Mohit |
| Authors(alternative): | もひーと |
| Keywords: | Ferroelectric Hafnium dioxide
oxide channel
Ferroelectric Gate Transistor
solution process
thin films |
| Issue Date: | Mar-2021 |
| Description: | Supervisor: 德光 永輔
先端科学技術研究科
博士 |
| Title(English): | Investigation of Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Transistor using Yttrium Doped Hafnium-Zirconium Oxide Fabricated by Solution Process |
| Authors(English): | Mohit |
| Language: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/17488 |
| Academic Degrees and number: | 甲第1252号 |
| Degree-granting date: | 2021-03-24 |
| Degree name: | 博士(マテリアルサイエンス) |
| Degree-granting institutions: | 北陸先端科学技術大学院大学 |
| Appears in Collections: | D-MS. 2020年度(R02) (Jun.2020 - Mar.2021)
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Description |
Size | Format |
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| abstract.pdf | 要旨 | 561Kb | Adobe PDF | View/Open | | paper.pdf | 本文 | 8499Kb | Adobe PDF | View/Open | | summary.pdf | 内容の要旨及び論文審査の結果の要旨 | 1214Kb | Adobe PDF | View/Open |
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