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タイトル: Conversion of the conduction type of a catalytic-chemical-vapor-deposited p-type a-Si by PH_3 plasma ion implantation
著者: Tu, Huynh-Thi-Cam
Koyama, Koichi
Yamaguchi, Noboru
Suzuki, Hideo
Ohdaira, Keisuke
Matsumura, Hideki
キーワード: Catalytic vapor deposition
Plasma Ion Implantation
Interdigitated back-contact silicon heterojunction solar cell
back-side contacts
counter doping
Amorphous silicon
発行日: 2019-05-21
出版者: Elsevier
誌名: Thin Solid Films
巻: 683
開始ページ: 150
終了ページ: 155
DOI: 10.1016/j.tsf.2019.05.035
抄録: In this work, we propose counter-doping into a p-type amorphous silicon (a-Si) film prepared by catalytic chemical vapor chemical deposition (Cat-CVD) by PH_3 plasma ion implantation (PII). This method is expected to simplify the formation of p-n patterns in the back-side electrodes of interdigitated back contacted amorphous silicon (a-Si)/crystalline silicon (c-Si) heterojunction (IBC-SHJ) solar cells. In particular, we investigate the effect that hydrogen atoms implanted together with phosphorous dopants during PH_3 PII have on the surface passivation properties of counter-doped p-a-Si on c-Si. Conversion in the conduction type of p-a-Si after PH_3 PII is confirmed by the operation of SHJ solar cells.
Rights: Copyright (C)2019, Elsevier. Licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International license (CC BY-NC-ND 4.0). [http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/] NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Huynh-Thi-Cam Tu, Koichi Koyama, Noboru Yamaguchi, Hideo Suzuki, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura, Thin Solid Films, 683, 2019, 150-155, https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.05.035
URI: http://hdl.handle.net/10119/18009
資料タイプ: author
出現コレクション:c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)

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