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タイトル: 新規デバイス応用のための2次元半導体・金属界面の理論的モデリング
著者: Abdul, Ghaffar
著者(別表記): あぶどぅる, がふぁーる
キーワード: Schottky barrier
ab initio
Phosphorene
WS2
semiconductor-metal interface
Tunnel barrier
metal-induced gap states
Fermi level pinning
Contact resistance
Interface dipole formation
発行日: Mar-2024
記述: Supervisor: 本郷 研太
先端科学技術研究科
博士
タイトル(英語): Theoretical modeling of 2D-semiconductor/metal interfaces for novel prototype device application
著者(英語): Abdul, Ghaffar
言語: eng
URI: http://hdl.handle.net/10119/19062
学位授与番号: 甲第1452号
学位授与年月日: 2024-03-22
学位名: 博士(情報科学)
学位授与機関: 北陸先端科学技術大学院大学
出現コレクション:D-IS. 2023年度(R05) (Jun.2023 - Mar.2024)

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