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D-MS. 博士（マテリアルサイエンス）・博士（材料科学） >
D-MS. 2024年度(R06) >
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http://hdl.handle.net/10119/19931
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| タイトル: | 分子線エピタキシー(MBE)法により成長したGaAs(111)B上MnAs/InAs/MnAsダブルヘテロ構造の縦型スピンデバイス応用 |
| 著者: | MD TAUHIDUL ISLAM |
| 著者（別表記）: | えむでぃ たうひだる いすらむ |
| キーワード: | Semiconductor spintronics
vertical spin valve
MnAs/InAs/MnAs double heterostructure
molecular beam epitaxy
low-temperature InAs |
| 発行日: | Mar-2025 |
| 記述: | Supervisor: 赤堀 誠志
先端科学技術研究科
博士 |
| タイトル（英語）: | Vertical spintronic device application of MnAs/InAs/MnAs double heterostructure on GaAs (111)B by molecular beam epitaxy (MBE) |
| 著者（英語）: | MD TAUHIDUL ISLAM |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/19931 |
| 学位授与番号: | 甲第1536号 |
| 学位授与年月日: | 2025-03-21 |
| 学位名: | 博士 (マテリアルサイエンス) |
| 学位授与機関: | 北陸先端科学技術大学院大学 |
| 出現コレクション: | D-MS. 2024年度(R06) (Jun.2024 - Mar.2025)
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このアイテムのファイル:
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記述 |
サイズ | 形式 |
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| abstract.pdf | 要旨 | 100Kb | Adobe PDF | 見る/開く | | paper.pdf | 本文 | 5120Kb | Adobe PDF | 見る/開く | | summary.pdf | 内容の要旨及び論文審査の結果の要旨 | 156Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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