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i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2025年度(R07) >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: https://hdl.handle.net/10119/20385

タイトル: AlGaN/GaNヘテロ構造の電気特性に及ぼすドライエッチングおよびデジタルウェットエッチングの影響
著者: 呉, 高方
著者（別表記）: ご, こうほう
発行日: Mar-2026
記述: Supervisor:鈴木　寿一
先端科学技術研究科
修士(マテリアルサイエンス)
タイトル（英語）: Effects of dry and digital-wet etching on electrical properties in AlGaN/GaN heterostructures
著者（英語）: WU, GAOFANG
言語: eng
URI: https://hdl.handle.net/10119/20385
出現コレクション:M-MS. 2025年度(R07) (Jun.2025 - Mar.2026)

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