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D-MS. 1998年度(H10) >
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http://hdl.handle.net/10119/2065
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| タイトル: | MBEによる低温成長GaAsにおける過剰As導入機構の解明 |
| 著者: | 須田, 篤史 |
| 著者（別表記）: | すだ, あつし |
| キーワード: | MBE LT-GaAs、過剰As、成長過程、Langmuir等温吸着過程、Raman散乱
MBE LT-GaAs, excess As, growth process, Langmuir a |
| 発行日: | Mar-1999 |
| 記述: |
Supervisor:大塚 信雄
材料科学研究科
博士 |
| タイトル（英語）: | Incorporation mechanism of excess arsenic in MBE growth of GaAs at low temperature |
| 著者（英語）: | Suda, Atsushi |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2065 |
| 出現コレクション: | D-MS. 1998年度(H10) (Jun.1998 - Mar.1999)
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記述 |
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