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D-MS. 博士（マテリアルサイエンス）・博士（材料科学） >
D-MS. 2005年度(H17) >
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http://hdl.handle.net/10119/2184
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| タイトル: | MBE成長GaAs膜における局在キャリアによる伝導機構の研究 |
| 著者: | 下岸, 史明 |
| 著者（別表記）: | しもぎし, ふみあき |
| キーワード: | 金属－絶縁体転移、MBE、アンダーソン局在
Metal-insulator transition, MBE, Anderson localiza |
| 発行日: | Mar-2006 |
| 記述: |
Supervisor:大塚 信雄
材料科学研究科
博士 |
| タイトル（英語）: | Study on the transport mechanism by the localized carriers in GaAs layers grown by molecular beam epitaxy |
| 著者（英語）: | Shimogishi, Fumiaki |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2184 |
| 出現コレクション: | D-MS. 2005年度(H17) (Jun.2005 - Mar.2006)
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記述 |
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