|
JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
D-MS. 博士（マテリアルサイエンス）・博士（材料科学） >
D-MS. 2005年度(H17) >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/2195
|
| タイトル: | GaAsデルタドープ対構造における局在電子状態の研究 |
| 著者: | 井筒, 康洋 |
| 著者（別表記）: | いづつ, やすひろ |
| キーワード: | MBE, 金属絶縁体転移, 局在スピン
MBE, metal-insulator transition, localized spin |
| 発行日: | Mar-2006 |
| 記述: |
Supervisor:大塚 信雄
材料科学研究科
博士 |
| タイトル（英語）: | Study of localized electron states in pair delta doped GaAs structures |
| 著者（英語）: | Idutsu, Yasuhiro |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2195 |
| 出現コレクション: | D-MS. 2005年度(H17) (Jun.2005 - Mar.2006)
|
このアイテムのファイル:
| ファイル |
記述 |
サイズ | 形式 |
|---|
| 2717abstract.pdf | | 50Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
