一覧
登録利用者:
登録者ページ
利用者(E-people)

JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 1996年度(H08) >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/2384

タイトル: MBEによるGaAs（001）基板上へのInAs成長の初期過程の研究
著者: 橋本, 智幸
著者（別表記）: ハシモト, トシユキ
キーワード: MBE,GaAs,InAs,表面再構成,As/In-flux比
発行日: Mar-1997
記述: Supervisor:大塚 信雄
材料科学研究科
修士
タイトル（英語）: MBEによるGaAs（001）基板上へのInAs成長の初期過程の研究
著者（英語）: Hashimoto, Toshiyuki
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/2384
出現コレクション:M-MS. 1996年度(H08) (Jun.1996 - Mar.1997)

このアイテムのファイル:

ファイル 記述 サイズ形式
225abstract.pdf185KbAdobe PDF見る/開く

当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。

 
お問い合わせ先 : 北陸先端科学技術大学院大学　研究推進課図書館情報係