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M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 1998年度(H10) >
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http://hdl.handle.net/10119/2594
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| タイトル: | 低温成長GaAsの電気的性質への析出粒子再分布の影響 |
| 著者: | 宮坂, 京布子 |
| 著者（別表記）: | みやさか, きょうこ |
| キーワード: | MBE, LT-GaAs, As析出粒子, 内部Schottky障壁
MBE, LT-GaAs, As precipitates, Internal Schottky b |
| 発行日: | Mar-1999 |
| 記述: |
Supervisor:大塚 信雄 教授
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Influence of redistribution of As precipitates on electricalproperty of low-temperature-grown GaAs |
| 著者（英語）: | Miyasaka, Kyoko |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2594 |
| 出現コレクション: | M-MS. 1998年度(H10) (Jun.1998 - Mar.1999)
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記述 |
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