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M-MS. 2000年度(H12) >
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http://hdl.handle.net/10119/2867
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| タイトル: | 遷移金属ダイカルコゲナイドにおける電子ドーピングの影響 |
| 著者: | 深瀬, 健 |
| 著者（別表記）: | ふかせ, たけし |
| キーワード: | MoS2, TaS2, 電子ドーピング, CDW転移, Mott転移
MoS2, TaS2, electron doping, CDW transition, Mott |
| 発行日: | Mar-2001 |
| 記述: |
Supervisor:小矢野 幹夫
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Influence of electron doping on transition-metal dichalcogenides |
| 著者（英語）: | Fukase, Takeshi |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2867 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2000年度(H12) (Jun.2000 - Mar.2001)
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