|
JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2001年度(H13) >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/2886
|
| タイトル: | MBEによる狭ギャップ半導体へテロ構造作製の研究 |
| 著者: | 佐藤, 英崇 |
| 著者（別表記）: | さとう, ひでたか |
| キーワード: | MBE, HEMT, Hall測定, Photo Luminescence, SdH振動, 逆格子空間マップ
MBE, HEMT, Hall measurement, Photo Luminescence, S |
| 発行日: | Mar-2002 |
| 記述: |
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Fabrication of narrow gap semiconductors heterostructure by MBE |
| 著者（英語）: | Sato, Hidetaka |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2886 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2001年度(H13) (Jun.2001 - Mar.2002)
|
このアイテムのファイル:
| ファイル |
記述 |
サイズ | 形式 |
|---|
| 1761abstract.pdf | | 43Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
