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M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2002年度(H14) >
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http://hdl.handle.net/10119/3027
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| タイトル: | Cat-CVD a-Si:H 膜をプリカーサとした多結晶シリコン薄膜トランジスタに関する研究 |
| 著者: | 余頃, 祐介 |
| 著者（別表記）: | よごろ, ゆうすけ |
| キーワード: | 触媒化学気相成長法, 多結晶シリコン, 水素化アモルファスシリコン, 薄膜トランジスタ, 高移動度
Cat-CVD, poly-Si:H, ELA, RTA, ablation, bubbling |
| 発行日: | Mar-2003 |
| 記述: |
Supervisor:松村 英樹
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Study on polycrystalline Si thin film transistors prepared using Cat-CVD a-Si:H |
| 著者（英語）: | Yogoro, Yusuke |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/3027 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2002年度(H14) (Jun.2002 - Mar.2003)
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記述 |
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