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タイトル: Study on Integrated Ferroelectric Gate Field-Effect Transistor Memory with an Intermediate Electrode
著者: Trinh, Bui Nguyen Quoc
キーワード: Ferroelectric memory
PZT film
ferroelectric gate
nondestructive
intermediate electrode
発行日: Sep-2007
記述: Supervisor:Susumu Horita
材料科学研究科
博士
タイトル(英語): Study on Integrated Ferroelectric Gate Field-Effect Transistor Memory with an Intermediate Electrode
著者(英語): Trinh, Bui Nguyen Quoc
言語: eng
URI: http://hdl.handle.net/10119/3758
出現コレクション:D-MS. 2007年度(H19) (Jun.2007 - Mar.2008)

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