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http://hdl.handle.net/10119/4409
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| タイトル: | Potential barriers to electron carriers in C_<60> field-effect transistors |
| 著者: | Konishi, Atsushi
Shikoh, Eiji
Kubozono, Yoshihiro
Fujiwara, Akihiko |
| 発行日: | 2008-04-28 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 誌名: | Applied Physics Letters |
| 巻: | 92 |
| 号: | 17 |
| 開始ページ: | 173302-1 |
| 終了ページ: | 173302-3 |
| DOI: | 10.1063/1.2917469 |
| 抄録: | Transport properties of C_<60> field-effect transistors (FETs) have been investigated in the temperature range between 160 and 300 K. Activation energy was estimated from temperature dependence of resistance at the linear region and of current at the saturation region for various channel lengths. Variation of activation energy values is attributed to carrier injection barrier at contact between source electrode and C_<60>channel, and barriers to carrier hopping between trap states in the channel of C_<60>. |
| Rights: | Copyright 2008 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in Atsushi Konishi, Eiji Shikoh, Yoshihiro Kubozono, and Akihiko Fujiwara, Applied Physics Letters, 92(17), 173302 (2008) and may be found at http://link.aip.org/link/?APPLAB/92/173302/1 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/4409 |
| 資料タイプ: | publisher |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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