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http://hdl.handle.net/10119/4473
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| タイトル: | Device characteristics of carbon nanotube transistor fabricated by direct growth method |
| 著者: | Inami, Nobuhito
Mohamed, Mohd Ambri
Shikoh, Eiji
Fujiwara, Akihiko |
| 発行日: | 2008-06-18 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 誌名: | Applied Physics Letters |
| 巻: | 92 |
| 号: | 24 |
| 開始ページ: | 243115-1 |
| 終了ページ: | 243115-3 |
| DOI: | 10.1063/1.2949075 |
| 抄録: | We have fabricated carbon nanotube (CNT) field-effect transistors (FETs) by direct growth of single-wall CNTs between the source and drain electrodes, and investigated their device characteristics. The FETs show ambipolar operation. The temperature and bias voltage dependence of device characteristics are consistent with device operation of the Schottky-type FET. The carrier injection barrier heights for both the electron and hole carriers show small values of 17-74 meV, without any additional specific treatment after device fabrication. |
| Rights: | Copyright 2008 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in N. Inami, M.A. Ambri, E. Shikoh, and A. Fujiwara, Applied Physics Letters, 92(24), 243115 (2008) and may be found at http://link.aip.org/link/?APPLAB/92/243115/1 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/4473 |
| 資料タイプ: | publisher |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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