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http://hdl.handle.net/10119/4742
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| タイトル: | 水素終端Si(111)面からの紫外光照射による水素脱離の光第二高調波顕微像観察 |
| 著者: | 宮内, 良広
佐野, 陽之
水谷, 五郎 |
| 発行日: | 2006-08-11 |
| 出版者: | 日本真空協会 |
| 誌名: | 真空 |
| 巻: | 48 |
| 号: | 8 |
| 開始ページ: | 489 |
| 終了ページ: | 491 |
| 抄録: | We have observed SH intensity images of the hydrogen terminated Si(111) surface partly irradiated by UV light (ћω=3.5eV) in ultra-high vacuum using a SH microscope. The SH signal intensity of the surface covered with hydrogen was weak. Hydrogen desorption due to the UV light irradiation caused the enhancement of SH intensity. The observed SH intensity images of the H-Si(111) surface represent the spatial distribution of the surface electronic states created by the hydrogen deficiency. We have also investigated dependence on the UV light power of the hydrogen desorption from H-Si(111) surface using the SH microscope. These experimental results suggest that the observed hydrogen desorption results from the laser induced thermal desorption (LITD). |
| Rights: | Copyright (c) 2005 日本真空協会. 宮内 良広, 佐野 陽之, 水谷 五郎: 真空, Vol.48 (2005) , No. 8, 489-491. 本著作物の著作権は日本真空協会に帰属します。本著作物は著作権者である日本真空協会の許可のもとに掲載するものです。 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/4742 |
| 資料タイプ: | author |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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