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http://hdl.handle.net/10119/7863
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| タイトル: | Transport properties of field-effect transistors with thin films of C_<76> and its electronic structure |
| 著者: | Sugiyama, Hiroyuki
Nagano, Takayuki
Nouchi, Ryo
Kawasaki, Naoko
Ohta, Yohei
Imai, Kumiko
Tsutsui, Michiko
Kubozono, Yoshihiro
Fujiwara, Akihiko |
| 発行日: | 2007-11-26 |
| 出版者: | Elsevier |
| 誌名: | Chemical Physics Letters |
| 巻: | 449 |
| 号: | 1-3 |
| 開始ページ: | 160 |
| 終了ページ: | 164 |
| DOI: | 10.1016/j.cplett.2007.10.012 |
| 抄録: | The C_<76> field-effect transistor (FET) showed n-channel normally-off like behavior with n-channel field-effect mobility, μ_n, of 3.9 × 10^<-4> cm^2 V^<-1> s^<-1>, and the highest on-off ratio, 125, among higher fullerenes FETs. The carrier transport in the C_<76> FET followed a thermally-activated hopping transport model. The normally-off like properties of C_<76> FET could be reasonably explained based on the electronic structure of thin films determined from photoemission spectroscopy. |
| Rights: | NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Hiroyuki Sugiyama, Takayuki Nagano, Ryo Nouchi, Naoko Kawasaki, Yohei Ohta, Kumiko Imai, Michiko Tsutsui, Yoshihiro Kubozono, Akihiko Fujiwara, Chemical Physics Letters, 449(1-3), 2007, 160-164, http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2007.10.012 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/7863 |
| 資料タイプ: | author |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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