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            | このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/9051 |  
 
| タイトル: | Thin-film polycrystalline silicon solar cells formed by flash lamp annealing of a-Si films |  | 著者: | Endo, Yohei Fujiwara, Tomoko
 Ohdaira, Keisuke
 Nishizaki, Shogo
 Nishioka, Kensuke
 Matsumura, Hideki
 |  | キーワード: | Flash lamp annealing Polycrystalline silicon
 High-pressure water vapor annealing
 Minority carrier lifetime
 |  | 発行日: | 2010-06-30 |  | 出版者: | Elsevier |  | 誌名: | Thin Solid Films |  | 巻: | 518 |  | 号: | 17 |  | 開始ページ: | 5003 |  | 終了ページ: | 5006 |  | DOI: | 10.1016/j.tsf.2010.03.008 |  | 抄録: | We have fabricated thin-film solar cells using polycrystalline silicon (poly-Si) films formed by flash lamp annealing (FLA) of 4.5-µm-thick amorphous Si (a-Si) films deposited on Cr-coated glass substrates. High-pressure water-vapor annealing (HPWVA) is effective to improve the minority carrier lifetime of poly-Si films up to 10 µs long. Diode and solar cell characteristics can be seen only in the solar cells formed using poly-Si films after HPWVA, indicating the need for defect termination. The actual solar cell operation demonstrated indicates feasibility of using poly-Si films formed through FLA on glass substrates as a thin-film solar cell material. |  | Rights: | NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Yohei Endo, Tomoko Fujiwara, Keisuke Ohdaira, Shogo Nishizaki, Kensuke Nishioka, and Hideki Matsumura, Thin Solid Films, 518(17), 2010, 5003-5006, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2010.03.008 |  | URI: | http://hdl.handle.net/10119/9051 |  | 資料タイプ: | author |  | 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles) 
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