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タイトル: Control of threshold voltage of organic field-effect transistors by space charge polarization
著者: Sakai, Heisuke
Konno, Koudai
Murata, Hideyuki
キーワード: Organic field-effect transistors (OFETs)
Threshold voltage shift
Polarization
Gate dielectric
発行日: 2009-07-10
出版者: Elsevier
誌名: Thin Solid Films
巻: 518
号: 2
開始ページ: 510
終了ページ: 513
DOI: 10.1016/j.tsf.2009.07.012
抄録: We demonstrate organic field-effect transistors (OFETs) with an ion-dispersed polymer for the gate dielectrics. By applying external electric field (V_<ex>), the dispersed ions can migrate by electrophoresis and separated ion pairs form space charge polarization in the gate dielectrics. After V_<ex> was applied, the drain current is increased over 7 times and threshold voltage is decreased from −12.9 V to −2.9 V. The shift direction of V_<th> is controllable by the polarity of the V_<ex>. Results of ultraviolet/visible differential absorption study reveal that the active layer of OFETs is charged not only electrostatically but electrochemically with increasing the time after V_<ex> was applied.
Rights: NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Heisuke Sakai, Koudai Konno, and Hideyuki Murata, Thin Solid Films, 518(2), 2009, 510-513, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2009.07.012
URI: http://hdl.handle.net/10119/9200
資料タイプ: author
出現コレクション:c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)

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