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タイトル: Flash-lamp-crystallized Polycrystalline Silicon Films with Remarkably Long Minority Carrier Lifetimes
著者: Ohdaira, Keisuke
Takemoto, Hiroyuki
Nishikawa, Takuya
Matsumura, Hideki
キーワード: Flash lamp annealing
crystallization
polycrystalline silicon
Hydrogen passivation
minority carrier lifetime
発行日: 2010
出版者: Elsevier
誌名: Current Applied Physics
巻: 10
号: 3
開始ページ: S402
終了ページ: S405
DOI: 10.1016/j.cap.2010.02.029
抄録: Polycrystalline silicon (poly-Si) films formed by flash lamp annealing (FLA) of precursor a-Si films are found to hardly lose hydrogen (H) atoms during crystallization and keep the initial H concentration on the order of 10^<21> /cm^3. Short annealing duration and sufficient Si film thickness would lead to the suppression of H desorption. A characteristic lateral crystallization mechanism, referred to as explosive crystallization (EC), may also contribute to prevent H desorption due to rapid lateral heat diffusion into neighboring a-Si. Poly-Si films after annealing under N2 or forming gas ambient shows remarkably long minority carrier lifetime compared to untreated films, indicating effective defect termination by H atoms remaining in the poly-Si films.
Rights: NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Keisuke Ohdaira, Hiroyuki Takemoto, Takuya Nishikawa, and Hideki Matsumura, Current Applied Physics, 10(3), 2010, S402-S405, http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2010.02.029
URI: http://hdl.handle.net/10119/9523
資料タイプ: author
出現コレクション:c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)

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