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http://hdl.handle.net/10119/9824
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タイトル: | Extremely Low Recombination Velocity on Crystalline Silicon Surfaces Realized by Low-Temperature Impurity Doping in Cat-CVD Technology |
著者: | Hayakawa, Taro Miyamoto, Motoharu Koyama, Koichi Ohdaira, Keisuke Matsumura, Hideki |
キーワード: | Solar cells Surface recombination velocity Impurity doping Phosphorus Cat-CVD |
発行日: | 2011 |
出版者: | Elsevier |
誌名: | Thin Solid Films |
巻: | 519 |
号: | 14 |
開始ページ: | 4466 |
終了ページ: | 4468 |
DOI: | 10.1016/j.tsf.2011.01.301 |
抄録: | To reduce surface recombination velocity (SRV) at the interface between amorphous Si (a-Si) and crystalline silicon (c-Si), we particularly investigated the treatment of c-Si surface prior to a-Si deposition using decomposed radicals of hydrogen (H_2) and phosphine (PH_3). The SRV can be reduced dramatically to 1.6 cm/s only for n-type c-Si, while no such reduction is observed in p-type c-Si. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) and the Hall effect measurement actually reveal the existence of phosphorus (P) atoms in c-Si near the surface. |
Rights: | NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Taro Hayakawa, Motoharu Miyamoto, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira and Hideki Matsumura, Thin Solid Films , 519(14), 2011, 4466-4468, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.01.301 |
URI: | http://hdl.handle.net/10119/9824 |
資料タイプ: | author |
出現コレクション: | b10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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