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http://hdl.handle.net/10119/9832
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| タイトル: | Advantage of Plasma-Less Deposition in Cat-CVD to the Performance of Electronic Devices |
| 著者: | Matsumura, Hideki
Hasegawa, Tomoaki
Nishizaki, Shogo
Ohdaira, Keisuke |
| キーワード: | Cat-CVD
PECVD
Thin Film Transistor (TFT)
Amorphous Silicon
Silicon Nitride (SiNx) |
| 発行日: | 2011 |
| 出版者: | Elsevier |
| 誌名: | Thin Solid Films |
| 巻: | 519 |
| 号: | 14 |
| 開始ページ: | 4568 |
| 終了ページ: | 4570 |
| DOI: | 10.1016/j.tsf.2011.01.302 |
| 抄録: | Advantage of plasma-less deposition in catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) is demonstrated in performance of amorphous-silicon (a-Si) thin-film transistors (TFTs), by comparing with a-Si TFTs fabricated by plasma-enhanced CVD (PECVD). Cat-CVD a-Si TFTs show 2 or 3 orders of magnitude lower off-current than PECVD ones. Exposure of Cat-CVD TFTs to an argon or a hydrogen plasma severely increases their off-current, while the off-current recovers by chemically etching the plasma-damaged surface layer. It is concluded that PECVD damages the a-Si surface to a depth of several tens of nm, whereas Cat-CVD induces no serious damage to the film surface and therefore induces no deterioration of electrical properties. |
| Rights: | NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Hideki Matsumura, Tomoaki Hasegawa, Shogo Nishizaki and Keisuke Ohdaira, Thin Solid Films, 519(14), 2011, 4568-4570, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.01.302 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/9832 |
| 資料タイプ: | author |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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