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タイトル: Variation of Crystallization Mechanisms in Flash-Lamp-Irradiated Amorphous Silicon Films
著者: Ohdaira, Keisuke
Nishikawa, Takuya
Matsumura, Hideki
キーワード: A1. Growth models
A1. Recrystallization
B2. Semiconducting silicon
B3. Solar cells
A1. Surface structure
A1. Nucleation
発行日: 2010-06-25
出版者: Elsevier
誌名: Journal of Crystal Growth
巻: 312
号: 19
開始ページ: 2834
終了ページ: 2839
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.06.023
抄録: Flashlamp annealing (FLA) can form polycrystalline silicon (poly-Si) films with various microstructures depending on the thickness of precursor amorphous Si (a-Si) films due to the variation of crystallizationmechanisms. Intermittent explosive crystallization (EC) takes place in precursor a-Si films thicker than approximately 2 μm, and the periodicity of microstructure formed resulting from the intermittent EC is independent of the thickness of a-Si films if their thickness is 2 μm or greater. In addition to the intermittent EC, continuous EC and homogeneous solid-phase crystallization (SPC) also occur in thinner films. These crystallizationmechanisms are governed by the ignition of EC at Si film edges and the homogeneous heating of interior a-Si. The results obtained in this study could be applied to control the microstructures of flash-lamp-crystallized poly-Si films.
Rights: NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Keisuke Ohdaira, Takuya Nishikawa, and Hideki Matsumura, Journal of Crystal Growth, 312(19), 2010, 2834-2839, http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.06.023
URI: http://hdl.handle.net/10119/9885
資料タイプ: author
出現コレクション:c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)

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