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著者:  "Akabori, M."

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発行日タイトル 著者
15-May-2008 Spin-splitting analysis of a two-dimensional electron gas in almost strain-free In_<0.89>Ga_<0.11>Sb/In_<0.88>Al_<0.12>Sb by magnetoresistance measurementsAkabori, M.; Guzenko, V. A.; Sato, T.; Schapers, Th.; Suzuki, T.; Yamada, S.
2009 Influence of growth temperature on the selective area MOVPE of InAs nanowires on GaAs (111) B using N_2 carrier gasAkabori, M.; Sladek, K.; Hardtdegen, H.; Schäpers, Th.; Grützmacher, D.
Jul-2010 Growth and Magneto-transport Characterization of Double-doped InGaAs/InAlAs Heterostructures with High Indium CompositionsAkabori, M.; Morimoto, K.; Wei, W.; Iwase, H.; Yamada, S.
10-Dec-2012 Realization of In_<0.75>Ga_<0.25>As two-dimensional electron gas bilayer system for spintronics devices based on Rashba spin-orbit interactionAkabori, M.; Hidaka, S; Iwase, H.; Yamada, S.; Ekenberg, U.

 


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