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著者:  "Fukushima, S."

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発行日タイトル 著者
1-Jan-2001 Electrical properties of nearly stoichiometric GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperatureFukushima, S.; Obata, T.; Otsuka, N.
4-Apr-2002 Hopping conduction in GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy at low temperaturesShimogishi, F.; Mukai, K.; Fukushima, S.; Otsuka, N.

 
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