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著者:  "Gelan, Jieensi"

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発行日タイトル 著者
28-Feb-2024 AlGaN/GaN devices with metal-semiconductor or insulator-semiconductor interfacial layers: Vacuum level step due to dipole and interface fixed chargeDeng, Yuchen; Gelan, Jieensi; Uryu, Kazuya; Suzuki, Toshi-kazu

 
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