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http://hdl.handle.net/10119/10600
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| タイトル: | (110)上の選択成長を利用した平面型並列ナノワイヤ電界効果トランジスタ |
| その他のタイトル: | Planar nanowire field-effect transistors using selective-area epitaxy on (110) |
| 著者: | 赤堀, 誠志 |
| 著者（別表記）: | Akabori, Masashi |
| キーワード: | 選択成長
(110)
InAs
ナノワイヤ
電界効果トランジスタ |
| 発行日: | 29-May-2012 |
| 抄録: | 分子線エピタキシーを用いたGaAs(110)マスク基板上のInAs 選択成長について、適切な選択成長条件を得て、面内へのInAs ナノワイヤ形成を可能にした。さらにプレーナー型リソグラフィーを利用した平面型並列ナノワイヤ電界効果トランジスタの試作を行った。試作素子の室温における出力・伝達特性や極低温における磁気伝導度等を評価し、2.3A/mm・4.9mS/mm の最大電流・相互コンダクタンスやスピン軌道結合の存在等を確認した。 : We formed in-plane InAs nanowires using selective-area molecular beam epitaxy on GaAs(110) masked substrates with a certain condition. Moreover, we fabricated planar nanowire field-effect transistors by conventional lithography. We measured their output and transfer characteristics at room temperature, and magneto-conductivity at low temperatures. Maximum current and trans-conductance are 2.3A/mm and 4.9mS/mm, respectively, and spin-orbit coupling is observed. |
| 記述: | 研究種目：若手研究（Ｂ）
研究期間：2010～2011
課題番号：22760228
研究者番号：50345667
研究分野：ナノ構造プロセス･物性評価
科研費の分科・細目：電気電子工学・電子・電気材料工学 |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/10600 |
| 出現コレクション: | 2011年度 (FY 2011)
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記述 |
サイズ | 形式 |
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| 22760228seika.pdf | | 619Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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