|
JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
D-MS. 博士（マテリアルサイエンス）・博士（材料科学） >
D-MS. 2024年度(R06) >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/19335
|
| タイトル: | 金属-半導体界面層あるいは絶縁体-半導体界面層を用いたAlGaN/GaNデバイスの閾値電圧制御 |
| 著者: | DENG, YUCHEN |
| 著者（別表記）: | でん, ゆうじん |
| キーワード: | AlGaN/GaN device
interfacial layer
threshold voltage control
vacuum level step
fixed charge |
| 発行日: | Jun-2024 |
| 記述: | Supervisor: 鈴木 寿一
先端科学技術研究科
博士 |
| タイトル（英語）: | Threshold voltage modulation in AlGaN/GaN devices using metal-semiconductor or insulator-semiconductor interfacial layers |
| 著者（英語）: | DENG, YUCHEN |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/19335 |
| 学位授与番号: | 甲第1478号 |
| 学位授与年月日: | 2024-06-24 |
| 学位名: | 博士(マテリアルサイエンス) |
| 学位授与機関: | 北陸先端科学技術大学院大学 |
| 出現コレクション: | D-MS. 2024年度(R06) (Jun.2024 - Mar.2025)
|
このアイテムのファイル:
| ファイル |
記述 |
サイズ | 形式 |
|---|
| abstract.pdf | 要旨 | 12Kb | Adobe PDF | 見る/開く | | paper.pdf | 本文 | 19221Kb | Adobe PDF | 見る/開く | | summary.pdf | 内容の要旨及び論文審査の結果の要旨 | 210Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
