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http://hdl.handle.net/10119/4840
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| タイトル: | Epitaxial Lift-Off of InGaAs/InAlAs Metamorphic High Electron Mobility Heterostructures and Their van der Waals Bonding on AlN Ceramic Substrates |
| 著者: | Jeong, Yonkil
Shindo, Masanori
Akabori, Masashi
Suzuki, Toshi-kazu |
| 発行日: | 2008-01-25 |
| 出版者: | The Japan Society of Applied Physics |
| 誌名: | Applied Physics Express |
| 巻: | 1 |
| 開始ページ: | 021201-1 |
| 終了ページ: | 021201-3 |
| DOI: | 10.1143/APEX.1.021201 |
| 抄録: | We have carried out epitaxial lift-off (ELO) of In_<0.57>Ga_<0.43>As/In_<0.56>Al_<0.44>As metamorphic high electron mobility heterostructures and their van der Waals bonding (VWB) on AlN ceramic substrates. Using a metamorphic heterostructure with an AlAs sacrificial layer and an InGaAs graded buffer grown on GaAs(001), thin film Hall-bar devices on AlN ceramic substrates were successfully fabricated by ELO and VWB. The Hall-bar devices exhibit very high electron mobilities, such as 11000 cm^2/(V-s) at room temperature (RT) and 84000 cm^2/(V-s) at 12 K. The RT mobility is the highest ever reported for ELO devices. This is the first report on ELO for metamorphic devices. |
| Rights: | This is the author's version of the work. It is posted here by permission of The Japan Society of Applied Physics. Copyright (C) 2008 The Japan Society of Applied Physics. Yonkil Jeong, Masanori Shindo, Masashi Akabori, and Toshi-kazu Suzuki, Applied Physics Express, 1, 2008, 021201.
http://apex.ipap.jp/link?APEX/1/021201/ |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/4840 |
| 資料タイプ: | author |
| 出現コレクション: | g10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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